NTR4171PT1G Scheda dati
Specifiche per NTR4171PT1G
Numero parte :
NTR4171PT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15.6nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
480mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-NTR4171PT1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5981808 pezzi
Prezzo di riferimento
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