NTMFD4901NFT1G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Specifiche per NTMFD4901NFT1G

Numero parte : NTMFD4901NFT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.3A, 17.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 15V

Potenza - Max : 1.1W, 1.2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

NTMFD4901NFT1G

Numero parte interna

ABC-NTMFD4901NFT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1080793 pezzi

Prezzo di riferimento

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