NTMD6N03R2G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Specifiche per NTMD6N03R2G

Numero parte : NTMD6N03R2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V

Potenza - Max : 1.29W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

NTMD6N03R2G

Numero parte interna

ABC-NTMD6N03R2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2160200 pezzi

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