NTHD4P02FT1G Scheda dati
Specifiche per NTHD4P02FT1G
Numero parte :
NTHD4P02FT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 10V
Caratteristica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) :
1.1W (Tj)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
ChipFET™
Pacchetto / caso :
8-SMD, Flat Lead
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-NTHD4P02FT1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3561747 pezzi
Prezzo di riferimento
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