NTD5C648NLT4G Scarica la scheda tecnica in PDF - T6 60V LL DPAK

Specifiche per NTD5C648NLT4G

Numero parte : NTD5C648NLT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : T6 60V LL DPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 91A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 4.4W (Ta), 76W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK (SINGLE GAUGE)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

NTD5C648NLT4G

Numero parte interna

ABC-NTD5C648NLT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

T6 60V LL DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

564228 pezzi

Prezzo di riferimento

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NTD5C648NLT4G Scheda dati

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