NTD4909NT4G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK

Specifiche per NTD4909NT4G

Numero parte : NTD4909NT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta), 41A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1314pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

NTD4909NT4G

Numero parte interna

ABC-NTD4909NT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2622683 pezzi

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