MUN5312DW1T2G Scheda dati
Specifiche per MUN5312DW1T2G
Numero parte :
MUN5312DW1T2G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) :
500nA
Frequenza - Transizione :
-
Potenza - Max :
385mW
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-MUN5312DW1T2G
fabbricante
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
15132908 pezzi
Prezzo di riferimento
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