Specifiche per MMRF1018NBR1

Numero parte : MMRF1018NBR1
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : FET RF 120V 860MHZ
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : LDMOS
Frequenza : 860MHz
Guadagno : 22dB
Tensione - Test : 50V
Valutazione attuale : -
Figura di rumore : -
Corrente - Test : 350mA
Potenza - Uscita : 18W
Tensione: nominale : 120V
Pacchetto / caso : TO-272-4
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-272-4
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
FET RF 120V 860MHZ
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
57408 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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