MMIX2F60N50P3 Scheda dati
Specifiche per MMIX2F60N50P3
Numero parte :
MMIX2F60N50P3
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6250pF @ 25V
Potenza - Max :
320W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
24-SMD Module, 9 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore :
24-SMPD
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-MMIX2F60N50P3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
43225 pezzi
Prezzo di riferimento
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