MCB40P1200LB Scheda dati
Specifiche per MCB40P1200LB
Numero parte :
MCB40P1200LB
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
POWER MOSFET
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
-
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
9-SMD Power Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
SMPD
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-MCB40P1200LB
fabbricante
Breve descrizione
POWER MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26061 pezzi
Prezzo di riferimento
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