IXTU01N100D Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Specifiche per IXTU01N100D

Numero parte : IXTU01N100D

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V

Caratteristica FET : Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IXTU01N100D

Numero parte interna

ABC-IXTU01N100D

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

543725 pezzi

Prezzo di riferimento

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IXTU01N100D Scheda dati

Specifiche per IXTU01N100D

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