IXTQ86N20T Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P

Specifiche per IXTQ86N20T

Numero parte : IXTQ86N20T

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 86A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 480W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IXTQ86N20T

Numero parte interna

ABC-IXTQ86N20T

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

196736 pezzi

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