IXFT6N100Q Scheda dati
Specifiche per IXFT6N100Q
Numero parte :
IXFT6N100Q
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
180W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-268
Pacchetto / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-IXFT6N100Q
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
82936 pezzi
Prezzo di riferimento
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