IXFT50N20 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 200V 50A TO-268

Specifiche per IXFT50N20

Numero parte : IXFT50N20

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 50A TO-268

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268

Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IXFT50N20

Numero parte interna

ABC-IXFT50N20

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 50A TO-268

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

82000 pezzi

Prezzo di riferimento

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IXFT50N20 Scheda dati

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