IXFN110N85X Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Specifiche per IXFN110N85X

Numero parte : IXFN110N85X

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 850V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 425nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 17000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1170W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IXFN110N85X

Numero parte interna

ABC-IXFN110N85X

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

64160 pezzi

Prezzo di riferimento

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IXFN110N85X Scheda dati

Specifiche per IXFN110N85X

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