IXFH21N50F Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 500V 21A TO247

Specifiche per IXFH21N50F

Numero parte : IXFH21N50F

fabbricante : IXYS-RF

Descrizione : MOSFET N-CH 500V 21A TO247

Serie : HiPerRF™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247 (IXFH)

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IXFH21N50F

Numero parte interna

ABC-IXFH21N50F

fabbricante

IXYS-RF

Breve descrizione

MOSFET N-CH 500V 21A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

71010 pezzi

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IXFH21N50F Scheda dati

Specifiche per IXFH21N50F

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