IRFH7110TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRFH7110TRPBF
Numero parte :
IRFH7110TRPBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3240pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso :
8-TQFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-IRFH7110TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1009085 pezzi
Prezzo di riferimento
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