IRFB3207ZGPBF Scheda dati
Specifiche per IRFB3207ZGPBF
Numero parte :
IRFB3207ZGPBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6920pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
300W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220AB
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-IRFB3207ZGPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
212541 pezzi
Prezzo di riferimento
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