IRF9952TRPBF Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Specifiche per IRF9952TRPBF

Numero parte : IRF9952TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IRF9952TRPBF

Numero parte interna

ABC-IRF9952TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1989505 pezzi

Prezzo di riferimento

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