IRF7301TRPBF Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Specifiche per IRF7301TRPBF

Numero parte : IRF7301TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IRF7301TRPBF

Numero parte interna

ABC-IRF7301TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1710156 pezzi

Prezzo di riferimento

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