IPG20N06S2L65AATMA1 Scheda dati
Specifiche per IPG20N06S2L65AATMA1
Numero parte :
IPG20N06S2L65AATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
410pF @ 25V
Potenza - Max :
43W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TDSON-8-10
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1197084 pezzi
Prezzo di riferimento
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