IGT60R070D1ATMA1 Scheda dati
Specifiche per IGT60R070D1ATMA1
Numero parte :
IGT60R070D1ATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Serie :
CoolGaN™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
-10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
125W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-HSOF-8-3
Pacchetto / caso :
8-PowerSFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-IGT60R070D1ATMA1
fabbricante
Breve descrizione
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
75036 pezzi
Prezzo di riferimento
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