H5N2007LSTL-E Scheda dati
Specifiche per H5N2007LSTL-E
Numero parte :
H5N2007LSTL-E
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET N-CH HS SW TO-263
Serie :
*
Stato parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
-
Tecnologia :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
-
Pacchetto dispositivo fornitore :
-
Pacchetto / caso :
-
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-H5N2007LSTL-E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH HS SW TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
108392 pezzi
Prezzo di riferimento
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