GSID200A170S3B1 Scheda dati
Specifiche per GSID200A170S3B1
Numero parte :
GSID200A170S3B1
fabbricante :
Global Power Technologies Group
Descrizione :
SILICON IGBT MODULES
Serie :
Amp+™
Stato parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configurazione :
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
400A
Potenza - Max :
1630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) :
1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce :
26nF @ 25V
Ingresso :
Standard
Termistore NTC :
No
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
D3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-GSID200A170S3B1
fabbricante
Breve descrizione
SILICON IGBT MODULES
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
33660 pezzi
Prezzo di riferimento
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