GA05JT12-263 Scheda dati
Specifiche per GA05JT12-263
Numero parte :
GA05JT12-263
fabbricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrizione :
TRANS SJT 1200V 15A
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
-
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
106W (Tc)
temperatura di esercizio :
175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-GA05JT12-263
fabbricante
Breve descrizione
TRANS SJT 1200V 15A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
73305 pezzi
Prezzo di riferimento
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