FQD13N10TM Scheda dati
Specifiche per FQD13N10TM
Numero parte :
FQD13N10TM
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
450pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 40W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-FQD13N10TM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2427138 pezzi
Prezzo di riferimento
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