Specifiche per FDMA2002NZ

Numero parte : FDMA2002NZ
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Potenza - Max : 650mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-MicroFET (2x2)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2581313 pezzi
Prezzo di riferimento
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