FDD3510H Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Specifiche per FDD3510H

Numero parte : FDD3510H

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel, Common Drain

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 40V

Potenza - Max : 1.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252-4L

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

FDD3510H

Numero parte interna

ABC-FDD3510H

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1262772 pezzi

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FDD3510H Scheda dati

Specifiche per FDD3510H

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