EMG3T2R Scheda dati
Specifiche per EMG3T2R
Numero parte :
EMG3T2R
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) :
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione :
250MHz
Potenza - Max :
150mW
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore :
EMT3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-EMG3T2R
fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9648485 pezzi
Prezzo di riferimento
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