EFC6612R-TF Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Specifiche per EFC6612R-TF

Numero parte : EFC6612R-TF

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : -

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-CSP (1.77x3.54)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

EFC6612R-TF

Numero parte interna

ABC-EFC6612R-TF

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1789872 pezzi

Prezzo di riferimento

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