ECH8690-TL-H Scheda dati
Specifiche per ECH8690-TL-H
Numero parte :
ECH8690-TL-H
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
955pF @ 20V
Potenza - Max :
1.5W
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-ECH
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-ECH8690-TL-H
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2032744 pezzi
Prezzo di riferimento
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