DTB123YUT106 Scheda dati
Specifiche per DTB123YUT106
Numero parte :
DTB123YUT106
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) :
500nA
Frequenza - Transizione :
200MHz
Potenza - Max :
200mW
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore :
UMT3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-DTB123YUT106
fabbricante
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
7232897 pezzi
Prezzo di riferimento
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