DMT6012LFDF-13 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

Specifiche per DMT6012LFDF-13

Numero parte : DMT6012LFDF-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta), 11W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

DMT6012LFDF-13

Numero parte interna

ABC-DMT6012LFDF-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2635346 pezzi

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DMT6012LFDF-13 Scheda dati

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