DMNH6011LK3Q-13 Scheda dati
Specifiche per DMNH6011LK3Q-13
Numero parte :
DMNH6011LK3Q-13
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
49.1nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3077pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.6W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-DMNH6011LK3Q-13
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
772233 pezzi
Prezzo di riferimento
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