DMN61D8LVT-7 Scheda dati
Specifiche per DMN61D8LVT-7
Numero parte :
DMN61D8LVT-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
12.9pF @ 12V
Potenza - Max :
820mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore :
TSOT-26
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-DMN61D8LVT-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3223759 pezzi
Prezzo di riferimento
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