DMN2023UCB4-7 Scheda dati
Specifiche per DMN2023UCB4-7
Numero parte :
DMN2023UCB4-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3333pF @ 10V
Potenza - Max :
1.45W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
4-XFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
X1-WLB1818-4
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-DMN2023UCB4-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2337867 pezzi
Prezzo di riferimento
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