DMN1053UCP4-7 Scheda dati
Specifiche per DMN1053UCP4-7
Numero parte :
DMN1053UCP4-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
908pF @ 6V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.34W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
X3-DSN0808-4
Pacchetto / caso :
4-XFBGA, CSPBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-DMN1053UCP4-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3638145 pezzi
Prezzo di riferimento
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