DMG1012UW-7 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Specifiche per DMG1012UW-7

Numero parte : DMG1012UW-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 60.67pF @ 16V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 290mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-323

Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

DMG1012UW-7

Numero parte interna

ABC-DMG1012UW-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9587725 pezzi

Prezzo di riferimento

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