DMC1229UFDB-7 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Specifiche per DMC1229UFDB-7

Numero parte : DMC1229UFDB-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : -

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V

Potenza - Max : 1.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6 (Type B)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

DMC1229UFDB-7

Numero parte interna

ABC-DMC1229UFDB-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3310650 pezzi

Prezzo di riferimento

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