CTLDM8002A-M621H TR Scheda dati
Specifiche per CTLDM8002A-M621H TR
Numero parte :
CTLDM8002A-M621H TR
fabbricante :
Central Semiconductor Corp
Descrizione :
MOSFET N-CH 50V DFN6
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
280mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.72nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
70pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.6W (Ta)
temperatura di esercizio :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TLM621H
Pacchetto / caso :
6-XFDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 50V DFN6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
44148 pezzi
Prezzo di riferimento
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