CSD87312Q3E Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Specifiche per CSD87312Q3E

Numero parte : CSD87312Q3E

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7A , 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 15V

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

CSD87312Q3E

Numero parte interna

ABC-CSD87312Q3E

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1518195 pezzi

Prezzo di riferimento

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