CSD23203WT Scheda dati
Specifiche per CSD23203WT
Numero parte :
CSD23203WT
fabbricante :
T-I
Descrizione :
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
-6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
914pF @ 4V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
750mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-DSBGA
Pacchetto / caso :
6-UFBGA, DSBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-CSD23203WT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1851381 pezzi
Prezzo di riferimento
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