CSD23201W10 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Specifiche per CSD23201W10

Numero parte : CSD23201W10

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Serie : NexFET™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DSBGA (1x1)

Pacchetto / caso : 4-UFBGA, DSBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

CSD23201W10

Numero parte interna

ABC-CSD23201W10

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

45900 pezzi

Prezzo di riferimento

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