CSD19538Q2T Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Specifiche per CSD19538Q2T

Numero parte : CSD19538Q2T

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.1A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 454pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WSON (2x2)

Pacchetto / caso : 6-WDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

CSD19538Q2T

Numero parte interna

ABC-CSD19538Q2T

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1406874 pezzi

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