CSD18536KTT Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Specifiche per CSD18536KTT

Numero parte : CSD18536KTT

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11430pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 375W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3

Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

CSD18536KTT

Numero parte interna

ABC-CSD18536KTT

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

236159 pezzi

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