CSD18513Q5A Scheda dati
Specifiche per CSD18513Q5A
Numero parte :
CSD18513Q5A
fabbricante :
T-I
Descrizione :
40V N CH MOSFET
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
124A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4280pF @ 20V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
96W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-VSONP (5x6)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-CSD18513Q5A
fabbricante
Breve descrizione
40V N CH MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1384908 pezzi
Prezzo di riferimento
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