CSD18511KTT Scarica la scheda tecnica in PDF - GEN1.4 40V-20V

Specifiche per CSD18511KTT

Numero parte : CSD18511KTT

fabbricante : T-I

Descrizione : GEN1.4 40V-20V

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 194A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5940pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 188W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

CSD18511KTT

Numero parte interna

ABC-CSD18511KTT

fabbricante

T-I

Breve descrizione

GEN1.4 40V-20V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

677250 pezzi

Prezzo di riferimento

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