Specifiche per CSD16401Q5

Numero parte : CSD16401Q5
fabbricante : T-I
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : +16V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 12.5V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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