Specifiche per CSD16325Q5

Numero parte : CSD16325Q5
fabbricante : T-I
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : +10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 12.5V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
735217 pezzi
Prezzo di riferimento
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