CDM22012-800LRFP SL Scheda dati
Specifiche per CDM22012-800LRFP SL
Numero parte :
CDM22012-800LRFP SL
fabbricante :
Central Semiconductor Corp
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 12A
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
52.4nC @ 10V
Vgs (massimo) :
30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
40W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220FP
Pacchetto / caso :
TO-220-3 Full Pack
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 12A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
196368 pezzi
Prezzo di riferimento
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